设备特点
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- 实时自动化调平和对准
- 芯片和晶圆之间调平可自动化完成，并可实时监控芯片在贴装位置的平行度，键合精度可达±500nm；
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- 优异的快速升降温能力
- RT-450℃升温时间≤2s，支持气体冷却快速降温，从而减少热失配变形，避免bump间短路，并提高键合效率；
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- 两种活化方式可选
- 可选择独立的氢自由基和等离子活化腔，H自由基可在180℃对Cu等金属材料表面进行低温还原；
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- 全过程惰性气体环境
- 芯片和晶圆活化后在惰性气体氛围内完成传输和键合，避免接触空气和被氧化，以提高键合质量；
规格参数
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项目指标
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压力范围1-3000N
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控压稳定性1~50N:±0.5N
51~3000N:±2N -
Wafer尺寸8/12 inch兼容
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压头控温范围RT~450℃
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压头控温稳定性±0.5℃
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压头升温速率(RT-450℃)6s@50*50mm; 2s@32*32mm
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键合后精度≤±2μm；≤±1μm；≤±500nm
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活化腔气氛氢自由基活化、等离子体活化
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键合腔气氛惰性气氛
